HF-9012光伏硅片彎曲試驗(yàn)機(jī)
硅片彎曲度是指硅片中線面的中心點(diǎn)處凸和凹的變形量。主要的測量方法有接觸式和非接觸式兩種。彎曲度是硅片好主要的質(zhì)量指標(biāo),硅片厚度公差和總厚度變化(平行度)以及光潔度的變化,主要是由彎曲度的變化引起的,盡管切片機(jī)本身的精度也會對這些指標(biāo)產(chǎn)生影響,但它決不會使硅片厚度和總厚度變化達(dá)幾十微米甚至幾百微米的波動。
將硅片置于基準(zhǔn)環(huán)的3個(gè)支點(diǎn)上，3支點(diǎn)形成一個(gè)基準(zhǔn)面，用低壓力位移指示器測量硅片中心偏離基準(zhǔn)平面的距離，翻轉(zhuǎn)硅片，重復(fù)測量。兩次測量值之差的一半就表示硅片的彎曲度。
2.1 非接觸式測量方法
將硅片正表面朝上置于基準(zhǔn)環(huán)的3個(gè)支點(diǎn)上，將硅片正表面朝上置于基準(zhǔn)環(huán)的3個(gè)支點(diǎn)上，3支點(diǎn)形成一個(gè)基準(zhǔn)面，用一只無接觸的測量探頭，測量硅片中心點(diǎn)偏離基準(zhǔn)平面的距離。翻轉(zhuǎn)硅片，重復(fù)測量。兩次測量值之差的一半就表示硅片的彎曲度。
